Diskret Geräter sinn individuell elektronesch Komponenten déi spezifesch Funktiounen an engem Circuit ausféieren. Dës Komponenten, wéi Widderstänn, Kondensatoren, Dioden an Transistoren, ginn net an engem eenzegen Chip integréiert, awer gi separat a Circuitdesign benotzt. All diskret Apparat déngt en eenzegaartegen Zweck, vum Stroum vum Stroum ze kontrolléieren bis d'Spannungsniveauen regelen. Widderstänn limitéieren de Stroumfluss, Kondensatoren späicheren a befreien elektresch Energie, Dioden erlaben de Stroum nëmmen an eng Richtung ze fléien, an Transistoren schalten oder verstäerken Signaler. Diskret Geräter si entscheedend fir de richtege Fonctionnement vun elektronesche Systemer, well se déi néideg Flexibilitéit a Kontroll iwwer Circuitverhalen ubidden.
Fast Erhuelung Diode
100V an
75v vun
150 mA
2A
200 mA
ca. 0,7v eng
4ns vun
SOD-123
-55 ℃ bis 150 ℃
Typ
Maximal Reverse Peak Voltage (VRRM)
Maximal kontinuéierlech Reverse Volt (VR)
Maximum duerchschnëttlech rectifizéiert Stroum (IO)
Maximum Peak Reverse Current (IFRM)
Maximum Forward Current (IF)
Forward Voltage Drop (Vf)
Reverse Recovery Time (Trr)
Package Typ
Operatioun Temperatur Beräich
High-Power Rectifier Diode
1000 V
Net applicabel
1A
Net applicabel
1A
1,1 V
Net applicabel
DO-41
Hänkt op spezifesch Applikatioun
Fonktioun | Stroumbegrenzung, Energielagerung, Filterung, Rectifikatioun, Verstäerkung, asw |
Package a Gréisst | SMT, DIP |
Elektresch Eegeschafte Parameter | Resistenzbereich: 10~1MΩ Toleranz: +1% Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C |
Materialien | Héich Puritéit Kuelestofffilm als konduktivt Material |
Aarbechtsëmfeld | Operatiounstemperaturbereich: -55°C bis +155°C Feuchtigkeitbeständeg, Schockbeständeg |
Zertifizéierung an Normen | Entspriechen den Ufuerderunge vun der RoHS Direktiv duerch UL Zertifizéierung |